FP50R12KE3
Infineon
50A1200V
制造商Infineon
產品種類IGBT 模塊
RoHS是
產品IGBT Silicon Modules
配置Hex
集電極—發(fā)射極電壓 VCEO1200 V
集電極—射極飽和電壓2.15 V
Continuous Collector Current at 25 C75 A
柵極—射極漏泄電流400 nA
功率耗散270 W
工作溫度+ 125 C
封裝 / 箱體EconoPIM3
柵極/發(fā)射極電壓+/- 20 V
工作溫度- 40 C
安裝風格Screw
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